2020年11月9日，美光科技宣布成为全球首家推出第五代3DNAND闪存技术的公司，达到了惊人的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储的应用效能。

　　正如美光科技NAND芯片市场总监Dan Doyle在一份声明中所说：“美光的 176 层 NAND 成为一个重要的里程碑。这项技术所实现的密度是早期 3D NAND 的近 10 倍。10 倍密度意味着智能手机可以做更多事、存储更多内容，并且让更多人负担得起，同时提升他们的日常生活体验。我还期待我们的技术能够广泛应用于各种电子设备（包括云存储的基本结构单元）。”

　　日前，EEWORLD记者再次采访了美光，就176层的诸多优势给予了解答。

　　1、为何此次产业选择的是176层，2*88这种布局，3D NAND堆叠层数的定义主要取决于什么？之前有过96层（双48），128层（双64等）。从第四代到第五代的突破相对于第三代到第四代，技术上是否更难，对市场的影响是否更震撼？为什么？

　　美光：没有绝对或神奇的比例数字，3D NAND堆叠的层数会因供应商而异。但业内绝大多数企业的路线层，大约每次层数会增长1/3左右，这与平面硅工艺制程演进所带来的面积缩小相一致。

　　美光：美光的176 层 NAND 推出时具有最高的层数、一流的 I/O 输入输出速度以及创新的CMOS阵列下架构（CMOS under the array）半岛bd体育。美光的 176 层 NAND 是业界密度最大半岛bd体育、技术最先进的，通过将替换栅极（replacement gate）架构与CMOS阵列下架构设计相结合，实现了业界领先的数据传输速率。

　　3、各家公司针对176层3D NAND技术都略有不同，美光都采取了哪些独到的技术（包括CMOS阵列下以及replacement gate等）？各家的优劣分别是什么？

　　美光：我们的 176 层 NAND在推出时拥有最高的层数、一流的 I/O 速度和创新的CMOS阵列下架构。正是这些功能特性和技术的结合，最终造就了该设计的卓越性能。

　　4、为什么各家针对3D NAND有不同技术路线图，从本质上来说，这些技术的差异性会有多大？终端用户的体验差别大吗？

　　美光：NAND 与 DRAM 使用 JEDEC标准的方式不同，它并没有通用标准。每家公司使用的技术略有不同，并针对不同的市场和细分领域进行了优化。但总的来说，读写带宽方面存在差异，这与技术选择和目标细分市场有关。

　　5、在开发176层NAND时，美光遇到的技术难点有哪些？整个业界的技术难点是什么？

　　美光：我们的工程团队做了大量工作来导入我们在 128 层时就已采用的替换栅极技术，128层并未在所有市场中都铺开，这个节点更像是处于学习阶段，我们在很短的时间内就迅速转向 176 层工艺的开发工作。虽然将NAND堆叠那么高（176层）技术上非常困难，但美光的专家团队总是能实现突破。

　　美光：由于没有全面开发 128 层节点，这使我们能够提前将工作重点放在 176 层节点上。

　　7. 3D NAND的下一个技术突破点是什么？未来技术发展可能的瓶颈在哪里？

　　美光：我们相信 NAND 在堆叠层数上还可以继续扩展几代，这条路上将遇到一系列技术瓶颈，但最终都会被突破。然而，随着对于每个晶粒的密度和性能的要求都在不断增加，要想实现两者的同时进步，对技术的压力会越来越大。

　　正如美光所述，未来NAND在堆叠层数上还会继续扩展，我们也期待着在3D堆叠领域，NAND可以走得更远，从而使电子产品可以存得更多，用得更便宜。

　　在NAND闪存（以下，NAND）市场份额中占到近40％、排名首位的韩国三星电子与排名第二、份额超过30％的东芝联手合作。两公司开发完成了 NAND用高速接口规格“Toggle DDR 2.0”，并已向JEDEC固态技术协会（JEDEC）提交了标准化方案（图1）注1）。该规格可用于SSD的控制器LSI及NAND的接口。除了SSD外，还设想用于内存卡中的NAND等更广泛的用途。 三星和东芝力争使JEDEC批准NAND用接口技术“Toggle DDR 2. 0”成为标准。与其竞争的是由英特尔等主导的“ONFI”。 “Toggle DDR 2.0”的特点是速度高达400Mbit/秒。这相当于现有主流产品的10倍左右。只所以

　　在最近结束的一次对 美光 CFO Ernie Maddock的采访中，他曾多次提到了关于“C”的观点半岛bd体育。所以，我们现在简单整理一下这篇文章的论点。以便我们能够从中获取更多有价值的信息。具体而言，这篇文章主要是关于 存储 行业的循环周期和盈利的观点。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 “ 存储 行业是一个具有周期性的行业。当然，我们并没有否认其发展历史。但是我们希望表示的是，该行业的发展周期越来越小，持续时间也越来越短。但是在发展周期的不断循环中，行业参与者获取的总利润的机会是在不断增加的。比如说在最近的2015年，作为第16个循环周期。其循环周期的时间是在不断下降的...但是行业的总利润比2012年和2013年

　　北京时间5月18日消息，知情人士称，美国芯片制造商美光科技准备从日本政府获得大约2000亿日元(约合15亿美元)的财政奖励，帮助其在日本生产下一代存储芯片。这是日本政府加强国内半导体生产的最新举措。 知情人士透露，美光将利用这笔资金在其日本广岛工厂安装来自光刻机巨头阿斯麦的先进EUV芯片制造设备，以生产DRAM芯片。这笔资金可能会在日本首相岸田文雄周四会见一个芯片高管代表团时宣布，该代表团中包括美光CEO桑杰·梅罗特拉(Sanjay Mehrotra)。 这笔补贴资金是日本志在发展本国半导体产业的最新迹象。日本政府已经投入数以十亿美元计资金，鼓励芯片代工巨头台积电在国内增加产能，并资助日本国内晶圆代工厂Rapidus，希望

　　硬件平台：jz2440 软件平台：Ubuntu16.04 arm-linux-gcc-3.4.5 源码位置： 原理分析 1.1问题的由来 前面篇文章 提到了SP的设置，但是当使用nand flash 和 nor flash启动时，2440内部的sram位置是不同的， SP的设置也不同。使用nor flash时，内部sram起始位置为0x40000000, 而使用nand fl

　　/nor 启动 /

　　武汉2016年11月18日电 /美通社/ -- 近日有媒体发布有关长江存储科技有限公司（以下简称“本公司”）与美国美光科技公司进行有关技术授权及合作的谈判等消息。对此本公司郑重声明如下： 截至目前，本公司从未与美国美光科技公司及其他公司就任何议题进行过谈判。经与本公司副董事长丁文武先生本人核实，他从未发表过任何涉及上述内容的信息。 特此声明。 长江存储科技有限公司 2016年11月18日

　　这篇文章对于我的U－Boot移植起了重要作用，阐述了U－Boot从NAND Flash启动需要做的修改，但是其做法并不是完全正确（只是个人意见）。在这里谢谢 Bekars涡轮增压 ！！ 这篇文章转载自他的博客：）u-boot版本1.1.3，gcc version 3.3.3 (DENX ELDK 3.1.1 3.3.3-9) 2）在Makefile中加入 bks2410_config : unconfig @./mkconfig $(@:_config=) arm arm920t bks2410 NULL s3c

　　北京时间10月7日午间消息，三星目前正联合竞争对手美光督促芯片界向新型堆叠式内存(stackable memory)芯片技术过渡，此举旨在降低能耗使用、加速电脑运行速度。 三星和美光在共同声明中表示，DRAM芯片制造商应该开始向名为“hybrid-cube”的混合内存芯片技术过渡，该技术就是将一个芯片叠加到另一芯片之上。新技术将使得内存芯片更快、更高效的向处理器提供数据。 美光内存营销总经理斯科特·格拉汉姆(Scott Graham)表示：“相比现在使用的传统内存技术，你可以在低能耗的基础上传输更多数据。我们现在可以做到节能近70%。” 目前的内存芯片产业规模达到了390亿美元，以往采用的内存芯片技术就是将D

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