随着信息数据大爆炸时代的来临，市场对存储器的需求持续增长。在芯片成品制造环节中，市场对于传统打线封装的依赖仍居高不下。市场对于使用多芯片堆叠技术、来实现同尺寸器件中的高存储密度的需求也日益增长。这类需求给半导体封装工艺带来的不仅仅是工艺能力上的挑战，也对工艺的管控能力提出了更高的要求。

　　作为半导体封测领域领军企业，长电科技在多芯片堆叠封装技术领域有哪些创新实践？本文中将介绍其技术优势、工艺和管控能力等内容。

　　图1是两个不同类型的存储器封装的侧视图，从其封装结构我们可以看出，两个封装都是由多个芯片堆叠而成，目的是为了减少多芯片封装占用的空间，从而实现存储器件尺寸的最小化。其中较关键的工艺是芯片减薄、切割，以及芯片贴合。

　　从市场需求来看，倒装封装（FC）和硅通孔（TSV），以及晶圆级（wafer level）的封装形式可以有效地减小器件尺寸的同时，提高数据传输速度，降低信号干扰可能。但就目前的消费类市场需求来看，还是基于传统打线的封装形式仍占较大比重，其优势在于成本的竞争力和技术的成熟度。

　　长电科技目前的工艺能力可以实现16层芯片的堆叠，单层芯片厚度仅为35um，封装厚度为1mm左右。

　　主要针对较厚的芯片（厚度需求>

　　60um），属于较传统的封装工艺，成熟稳定。晶圆在贴上保护膜后进行减薄作业，再使用刀片切割将芯片分开。适用于大多数的封装。

　　主要针对38-85um芯片厚度，且芯片电路层厚度>

　　7um，针对较薄芯片的需求和存储芯片日益增长的电路层数（目前普遍的3D NAND层数在112层以上）。使用刀片先将芯片半切，再进行减薄，激光将芯片载膜 (Die attach film)切透。适用于大部分NAND 芯片，优势在于可以解决超薄芯片的侧边崩边控制以及后工序芯片隐裂（die crack）的问题，大大提高了多芯片封装的可行性和可量产性。

　　主要针对35-85um芯片厚度，且芯片电路层厚度

　　<7um，主要针对较薄芯片的需求且电路层较少，如dram。使用隐形激光先将芯片中间分开，再进行减薄，最后将wafer崩开。适用于大部分dram wafer以及电路层较少的芯片，与dbg相比，由于没有刀片切割机械影响，侧边崩边控制更佳。芯片厚度可以进一步降低。

　　1）芯片位置精度：由于多芯片堆叠的缘故，芯片贴合位置与芯片和芯片间的距离控制成为了工艺要点和难点。高精度贴合机台的引入，使得阶梯状一次性多芯片贴合精度可以保证在（+/-15um），可以有效地降低工艺良率损失，以实现可量产的多芯片堆叠技术（如图5）。

　　2） 超薄芯片拾取：受限于芯片厚度，采用传统的顶针从芯片载膜（DAF）上剥离芯片，应力集中在只有1.5mil（38um）的芯片上，几乎成为了不可能完成的任务。因此，针对超薄芯片的拾取，专门的治具被开发出来。主要的功能是通过多步平台凸起将芯片从芯片载膜（DAF）上剥离。相比传统顶针，它将应力从点分散到面，从一步顶换改为多步顶。有效改善了超薄芯片的芯片隐裂问题。

　　晶圆经研磨后厚度要求越来越薄，形变会导致晶圆无法继续后工序的作业，使得加工后的晶圆翘曲控制成为难题。通过SDBG和DBG，同时使用抛光工艺，释放晶圆表面应力，改善晶圆翘曲的情况。

　　尽管目前的无尘车间级别已经达到1k级（微尘数量被严格控制在每立方米1000个以内），封装车间中的异物、颗粒物对于超薄芯片来说，在每个工序中都是很大的威胁。如下图6，异物或颗粒物落在芯片上，受到外力挤压的情况下，就会导致芯片隐裂。

　　因此，在关键工序（芯片相关），增加了负压设备HEPA环境，从而避免异物或颗粒物落在芯片表面。针对机台加盖，起到了双重防护的作用。另外在芯片存放和运送中，使用指定料盒、推车和干燥柜。对指定料盒、推车和干燥柜加强定期清洗频率均可减少异物、颗粒物的影响半岛bd体育。

　　作为全球第三，中国大陆第一的芯片成品制造企业，长电科技始终对技术的研发和创新作为公司的重点发展战略，并取得一系列成果。长电科技拥有3200多项专利技术（截至2021年12月31日），荣获2020年度国家科学技术进步一等奖，在半导体产业中始终发挥着行业龙头，技术引领的作用。

　　展望未来，长电科技将继续强化创新，在芯片行业不断向精益化发展的过程中，研发包括多芯片堆叠封装技术等芯片成品制造技术，优化产品质量，不断提升自身的技术能力和服务能力，从而促进整个行业的发展。

　　根据大陆工信部电信研究院资料显示，目前已有11家晶片商通过测试，证明其可提供多模多频TD-LTE终端晶片，这11家业者共有高通(Qualcomm)、海思、展讯、联发科、创毅视讯、中兴微电子、迈威尔(Marvell)、Sequans、Altair、联芯、重邮信科。 其中，高通、海思、展讯、联发科、中兴微电子、Marvell、联芯、重邮信科8家厂商可提供单晶片解决方案，而包括高通、海思、联发科、Marvell 4家业者产品可支援5模解决方案。至于在半导体制程部份，目前仅有高通采用28奈米制程，不过估计海思、中兴微电子、联发科3家厂商也将在2013年下半年导入28奈米制程。

　　5 月 23 日消息，Meteor Lake-S 再一次走到了充满变数的路口上。消息人士 @OneRaichu 表示，英特尔 5 月路线图中已经取消了 MTL-S 的 6+8 型号并由 ARL-S 的 6+8 型号取代，但 @xinoassassin1 则坚持认为它只是更名而非彻底砍掉。 泄露的路线 日）的计划，其中包括 S、H、PX、M、U 和 N 系列，表明英特尔将为游戏玩家提供全方位的酷睿系列新品。 6P+8E 核心的 Meteor Lake-S 之前已经多次传出要被取消，取而代之的是具有相同配置的 Arrow Lake，此次路线图的更新很大程度上

　　已被取消或改名 /

　　1.1 ARM芯核 如果希望使用WinCE或Linux等操作系统以减少软件开发时间，就需要选择ARM720T以上带有MMU(memory management unit)功能的ARM芯片，ARM720T、StrongARM、ARM920T、ARM922T、ARM946T都带有MMU功能。而 ARM7TDMI没有MMU，不支持Windows CE和大部分的Linux, 但目前有uCLinux等少数几种Linux不需要MMU的支持。 1.2 系统时钟控制器 系统时钟决定了ARM芯片的处理速度。ARM7的处理速度为0.9MIPS/MHz,常见的ARM7芯片系统主时钟为20MHz- 133MHz,ARM9的处理速度为1.1MI

　　统计数据显示，2023年中国洗碗机行业市场规模达到120亿元，较上年增长11.11%。2024年第一季度累计零售量为35万台，同比增长2.1%。数据显示，虽然当前洗碗机市场处于上升周期内，但还未达到大众普及的预期。 2023年，中国洗碗机市场依然被西门子、方太、美的、老板电器、海尔集团五家企业把控，合计市场份额高达83.7%，行业市场集中度较高。进入2024年，中国洗碗机市场的竞争依然很激烈，企业都希望通过差异化创新吸引更多的消费者。在此过程中，基于BLDC电机打造洗碗机，甚至是全系标配BLDC电机成为主流选择。 比如，西门子的洗碗机就是几乎全系标配了BLDC电机，还有5D喷淋系统+软水装置+三层精滤系统，得到了很多消费者的青睐

　　长江网12月7日讯(长江日报 通讯员刘森 记者王东方)一个名不见经传的民营企业,在不到17年里,多次打破美日产品技术垄断,研发的产品多次填补国内空白,拥有近400项专利,牵头制定5项行业标准,年销售总额超15亿元半岛bd体育。 这家企业是由朱双全和朱顺全两兄弟共同创办的湖北鼎龙控股(前身为鼎龙化学)股份有限公司,主要从事功能信息材料、光电材料、集成电路设计及制程材料等研发生产,国家高新技术企业、国家创新型企业、创业板上市公司。拥有国内唯一、世界一流的全自动彩色聚合碳粉生产线,是全球知名打印复印耗材及集成电路制程材料方案解决综合供应商。 创业初,鼎龙选择了被日本两家企业在全球垄断了20多年的碳粉用电荷调节剂产品作为研发方向,聚合武汉科教资源实施

　　中国，2019年5月14日——意法半导体L5965七路输出汽车电源管理IC(PMIC)支持电池电压直接供电，输出电压和上电时序可通过寄存器设置，片上集成功能安全机制，让汽车视觉系统和其它车载应用的电控单元的尺寸变得更小，可靠性更高。 配备七路稳压输出，仅一颗L5965芯片即可驱动基于摄像头或雷达的驾驶辅助系统的全部功能，包括传感器、存储器、处理器和CAN接口电路。输出电压和上电时序设置数据存放在一次性可编程(OTP)存储器内，让设计人员能够根据各种先进驾驶辅助系统(ADAS)和其它车载应用的需求灵活地配置PMIC。 L5965可以直接从车辆电池取电，无需在输入前端连接预稳压模块；寄存器设置输出电压功能取代了外部电压设置电阻；片上稳

　　利用射频识别技术(Radio Frequncy Identification)开发的非接触式IC识别器，与传统的接触式IC卡、磁卡相比较，在系统寿命、防监听、防解密等性能上具有很大的优势。本文介绍利用MCU P89LPC932、MF RC632、Mifare卡等构建的非接触式专用IC读写器，充分利用了MF RC632的射频识别读写器芯片的功能。 所使用的器件大部分都是PHILPS公司的器件，具有典型性和一定的通用性，因此稍加改动即可应用到其他系统中，而且在该读写器基础上能很容易地开发出适用于各种自动识别系统的非接触式IC识别器。 1 系统硬件结构及工作原理 1.1 系统结构及特点 系统主要由核心控制单元MCU P89LPC

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