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路演]协昌科技:公司专业从事功率芯片的研发设计及销售形成了具有自主知识产权的核心技术体系半岛bd体育

作者:小编    发布时间:2023-08-09 04:23:58    浏览量:

  2023年8月7日下午,协昌科技(301418)首次公开发行股票并在创业板上市网上路演在全景网举行。在网上交流环节半岛bd体育,针对公司功率芯片产品的相关技术优势及技术水平情况的问题,协昌科技董事长、总经理顾挺表示,公司以子公司凯思半导体作为功率芯片业务经营主体,专业从事功率芯片的研发设计及销售,逐步开发并建立了沟槽型MOSFET(Trench-MOSFET)、半岛bd体育屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT-MOSFET)、超结MOSFET(SJ-MOSFET)等产品线,形成了具有自主知识产权的核心技术体系。

  公司功率芯片研发中心先后被评为苏州市高品质微控制器及功率器件工程技术研究中心、江苏省功率半导体器件(MOSFET)工程技术研究中心,此外,近年来,公司主要功率芯片产品取得的技术水平方面相关认证如下:“CS超低功耗半导体功率芯片”被江苏省工业和信息化厅鉴定为该产品总体技术水平处于国内领先,“低功耗半导体MOS器件(MOSFET及其晶圆)”被江苏省机械工程学会鉴定为该产品技术达到国际先进、国内领先水平,“60V-75V N屏蔽栅型超低功耗功率芯片”被江苏省工业和信息化厅鉴定为该产品总体处于同类产品国际先进水平,“93V 110A 功率芯片”被江苏省工业和信息化厅鉴定为该产品总体处于同类产品国际先进水平。

  2020年至2022年公司积极筹备深沟槽栅极型超结功率MOSFET研发、内置快恢复二极管的超结功率MOSFET研发、基于SGT架构的新型IGBT芯片研发等一系列具有前瞻性的研发项目开展,不断提高自身的核心竞争力,巩固并提高现有的市场地位半岛bd体育,推动高端功率芯片的国产化进程。半岛bd体育

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